출처 : 동아사이언스
링크 : 신소재 ‘스마트 출입문’으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다
요약 : 낸드플레시 메모리는 스마트폰, 솔리드스테이트드라이브,인공지능서버 등등에서 데이터 저장역할을 하는 핵심 반도체입니다. 더많은 데이터를 작은 공간에 저장하기위해 메모리셀을 층층히 쌓는 3차원 V-낸드 기술을 사용중이며 셀 하나에 저장하는 데이터 양도 점점 늘어나는 중이다. 다만 메모리 셀 안에서 전자가 드나드는 터널링 층은 데이터를 쓰거나 지울때 전하가 통과하는 얇은 절연막인데 기존의 경우 데이터를 지우려면 정보가 새고 유출을 막으려면 삭제가 느려지는 단점이 있었고 용량을 극대화 시키기위해 셀 하나에 5bit 씩 담아 32단계 전압을 구분해야하는 차세대 기술에선 문제가 심했지만 연구팀이 실리콘 기반 소재 대신에 붕소,산소,질소로 이뤄진 신소재 BON을 터널링 층에 적용, 데이터를 지울때 필요한 양의 전하를 쉽게 통과하고 저장된 데이터는 빠져나가지못하는 ‘비대칭 에너지 장벽’구조 설계로 데이터 삭제 속도가 23배 향상하고 수만번 반복 사용 후에도 성능이 그대로였다. 셀 동작에서도 소자 간 데이터 분포 정밀도가 3배이상으로 “차세대 초고용량 메모리 제조에 바로 적용할 수 있는 독창적인 기술” 을 만들었고 이에따라 대한민국의 반도체 기술 전망이 높아졌습니다.한 줄 요약 : 차세대 초고용량 낸드 플레시 메모리 상용화를 가속화시킬 기술 발견으로 대한민국의 반도체 기술에 대하여 강국이 될것으로 보인다. 이글을 요약하며 반도체에 관심이 한 층 더 높아졌으며 다른 나라보다 기술이 앞선다는 것이 자랑스럽다.
